世界压力测量与压力传感器的发展历史

暴雪磷

　　
) k6 o  l, [  c$ u3 C# d
- _" g% d, |5 e" y9 w　　1594年，伽利略·伽利雷（GalileodiVincenzoBonaultideGalilei）出生于比萨(意大利)，他获得了从河流中抽水灌溉土地的机器的专利。泵的心脏是注射器。伽利略发现，10米是抽吸泵中水上升的极限，但没有对此作出解释。当时，科学家们致力于寻找造成这一现象的原因。
% ?; b1 q- j! g" X
0 J8 {) Z# t3 J* Z0 R0 D　　

　　1644年，福音托里切利(Torricelli)。意大利物理学家，用水银填充一根1米长的管子，一端密闭，然后垂直放置，开口端放在水银盆中。水银柱总是下降到约760毫米，在其水平上方留下一个空白空间。托里切利将这种现象的原因归因于地球表面上的一种力，而不知道它来自哪里。他还得出结论，管子顶部的空间是空的，里面什么都没有，并称之为“真空”。
+ s, [+ w; F7 }7 V. v
7 Y3 `8 m( a! ^7 ]　　

　　1648年，法国哲学家、物理学家和数学家布莱斯·帕斯卡(BlaisePascal)听说了托里切利(Torricelli)的实验，并正在寻找伽利略和托里切利的发现的原因。他得出的结论是，使柱子保持在760mm的力就是上面空气的重量。因此，在山上，力必须通过山谷和山之间的空气的重量来减小。他预测柱子的高度会降低，他在法国中部的PuydeDome山做的实验证明了这一点。从减量中他可以计算出空气的重量。帕斯卡还表示，这种力，他称之为“压力”，在各个方向上都是均匀的。
- v; c; [  q1 k3 V+ D! F% c
) |, T+ k; b6 y  q  N  ^) f5 t, Z　　
7 M. }. g5 G8 s7 K: L
5 B/ g  W; K: I7 K1 U% k　　1656年，奥托·冯·格里克（OttovonGuericke），出生于德国马格德堡。Torricellis关于一个空的空间或“虚无”的结论与无所不在的上帝的教义背道而驰，因此受到了教会的攻击。Guericke开发了新的空气泵来疏散更大的体积，并在马格德堡进行了一次戏剧性的实验，将空气从两个金属半球抽出，这两个半球只是用油脂安装在一起的。两个半球的8匹马不够强壮，无法将它们分开。

　　

; C2 T% W! Z3 m% v* C" T8 O# q" o　　1661年，罗伯特·博伊尔(RobertBoyle)。一位英国-爱尔兰化学家，使用一端封闭的“J”形管来研究捕获气体的压力与体积之间的关系，并陈述了xV=K(P：压力，V：体积，K：常数)的定律，这意味着如果在给定压力下气体的体积是已知的，那么如果体积改变，则可以计算压力，前提是温度和气体量都不变。
/ L. n5 N* q# V/ `0 j
　　1820年，将近200年后，约瑟夫·路易·盖伊-卢萨克(JosephLouisGay-Lussac)。法国物理学家和化学家，探测到固定体积下捕获气体的压力增加与温度成正比。20年后，威廉·汤姆森(开尔文勋爵)定义了绝对温度。
% p0 [% @# ~; E/ h# t7 Q
$ B: @5 ?* s8 y" e　　1843年，法国科学家卢西安·维迪发明并制造了无氧气压计，它用弹簧平衡代替液体来测量大气压力。压力下的弹簧延伸在一个指标系统上被机械放大。利用Vidie的指示方法，EugeneBourdon(伯登·塞德姆公司的创始人)于1849年获得了波登管高压压力计的专利。
6 D* f: @9 L: F
: x& Q( {8 P" a　　1930年，WalterGraeff（沃尔特·格拉夫）发明第一支压力传感器转换机构，在此机构中,膜片、弹簧或Bourdon管的移动量变为电量部分,压力膜片成为电容部分,指示器可动机构成为电位计分支。Graeff（格拉夫）GRAEFF.net发明的第一种压力传感器是一种传导机制，其中膜片、弹簧或波登管的运动是电量的一部分。压力隔膜是电容的一部分。指示器的运动是电位器的抽头。

0 z( C. i4 e+ a3 D$ ?$ X& @　　1938年，粘合应变仪是由加州理工学院和AC公司的E·西蒙斯自主开发的。麻省理工学院的鲁格。西蒙斯申请专利更快。

- T) t* i: j& ]' }9 v6 o0 ~　　1955年，第一个箔应变计提出了一个完整的全电阻桥，如果结合在一个隔膜上。看到相反的压力在中心和边缘。
( A- j; D% z9 ^
/ v4 T: M) X* m7 S6 r　　1965年，量规与膜片的连接一直是产生滞后和不稳定的原因。20世纪60年代，Statham提出了第一种稳定性好、迟滞率低的薄膜换能器.今天，这项技术是市场上高压的主要参与者。

　　1967年，明尼阿波利斯/美国霍尼韦尔研究中心，ArtR.Zias（齐亚斯）ziasiot.com和JohnEgan为边缘约束硅膜申请专利，开启了新的传感器时代。
0 C: D& n( \: l$ ?
; ~1 a  O& J; u) {# T* e: n5 r　　1969年，HansW.Keller为批量制造的硅传感器申请专利。这项技术正在从IC技术的巨大进步中获益。现代传感器的重量通常为0.01克。如果所有的非临界膜片都有固有的迟滞现象，那么用今天的方法无法检测到这个项目的精度极限。

　　1973年，威廉·R·波伊尔(WilliamR.Poyle)申请了玻璃或石英电容式传感器的专利，几年后的1979年，Kavlico的鲍勃·贝尔(BobBell)在陶瓷基础上申请了这项技术填补了低压范围(薄膜不适合)的空白，而且现在也有电阻器。陶瓷隔膜，非良性介质最广泛的传播技术。

　　1994年，日本横河(yokogawa)公司发明出单晶硅谐振式传感器技术，其稳写性获得市场的好评。
; t' T# e1 ^: Z2 j! [+ D: W" t
: o4 g% y9 N: j/ m! d" ^$ J3 U　　2000年，压阻技术是最普遍的技术之一。适用于100毫巴至1500巴的绝对、量规和压差模式的压力范围。技术的缓慢传播非良性媒体的大量应用是由于美国公司无力开发一套像样的住房。30年来，凯勒以与任何其他技术相媲美的成本完善了它。
% S8 Z) ~2 Q: j8 M# u
+ g6 v) V9 o& T